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  • 型号: MT41K512M16TNA-125 IT:E
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K512M16TNA-125 IT:E由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K512M16TNA-125 IT:E价格参考。Micron Technology IncMT41K512M16TNA-125 IT:E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT41K512M16TNA-125 IT:E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT41K512M16TNA-125 IT:E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc.(美光科技)生产的存储器型号MT41K512M16TNA-125 IT:E是一款DDR4 SDRAM(同步动态随机存取存储器)。以下是其主要应用场景:

 1. 服务器和数据中心
   - DDR4内存以其高带宽和低功耗特性,广泛应用于高性能服务器和数据中心。MT41K512M16TNA-125支持快速数据处理和大规模并发操作,适合云计算、大数据分析和虚拟化环境。

 2. 网络设备
   - 该型号适用于路由器、交换机和其他网络设备。在网络流量日益增长的情况下,DDR4内存能够提供更高的吞吐量和更低的延迟,确保数据传输的高效性和稳定性。

 3. 人工智能与机器学习
   - 在AI训练和推理过程中,需要大量数据的快速读写。这款存储器的高速性能可以满足深度学习框架(如TensorFlow或PyTorch)对内存带宽的需求。

 4. 图形处理与游戏
   - 对于需要强大图形处理能力的应用(如游戏、视频编辑和3D渲染),该存储器能提供足够的带宽支持,以实现流畅的画面输出和复杂的计算任务。

 5. 嵌入式系统
   - 在工业控制、医疗设备和汽车电子等嵌入式系统中,这款DDR4内存可以为实时数据处理和复杂算法运行提供可靠的性能保障。

 6. 高性能计算(HPC)
   - 高性能计算领域需要极高的计算能力和内存带宽。MT41K512M16TNA-125的特性使其成为科学计算、气象预测和基因组研究等领域的理想选择。

 总结
MT41K512M16TNA-125 IT:E凭借其卓越的性能、稳定性和低功耗特点,适用于多种对内存要求较高的场景。无论是企业级应用还是消费级产品,它都能提供强大的支持。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DDR3 SDRAM 8GBIT 800MHZ TFBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

MT41K512M16TNA-125 IT:E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

96-FBGA(10x14)

包装

托盘

存储器类型

DDR3L SDRAM

存储容量

8G(512M x 16)

封装/外壳

96-TFBGA

工作温度

-40°C ~ 95°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.283 V ~ 1.45 V

速度

800MHz

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